自己組織化膜形成材料として有用なトリプチセン誘導体、その製造方法、それを用いた膜、及びその製造方法

開放特許情報番号
L2017000511
開放特許情報登録日
2017/4/3
最新更新日
2017/4/3

基本情報

出願番号 特願2014-557181
出願日 2013/8/21
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2014/111980
公開日 2014/7/24
発明の名称 自己組織化膜形成材料として有用なトリプチセン誘導体、その製造方法、それを用いた膜、及びその製造方法
技術分野 有機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 自己組織化単分子膜の形成材料として有用なトリプチセン誘導体、及びそれを製造するための中間体
目的 自己組織化膜、特に自己組織化単分子膜の材料物質として有用な一般式[I]で表されるヤヌス型トリプチセン誘導体、及びそれを製造するための原料となる一般式[II]で表されるヤヌス型トリプチセン誘導体、並びにそれらの製造法を提供する。それを用いた自己組織化膜、当該膜を表面に有する固体基板、及び当該膜の製造方法を提供する。
効果 基板表面の化学的及び/又は物理的な状況にかかわらず規則的かつ剛直な膜を形成させることができる。
生体膜に類似した二層構造の膜とすることもできる。
極めて応用範囲の広いナノ単位の薄膜を提供することができる。
膜の一方の面に半導体のような特性をもたせることも可能となる。
本発明のトリプチセン誘導体は、規則的かつ安定した薄膜を形成することができるだけでなく、薄膜の目的に応じた修飾が極めて容易となり、応用範囲の広い膜形成材料を提供することができる。
技術概要
本発明は、基板の材質に依存しない自己組織的な膜を形成することができる下記の一般式[I]、
(式中、Xは酸素原子等のリンカー基であり、R1は長鎖の基であり、Zは末端の水素原子又は各種の官能基であり、R2は水素原子又は各種の置換基である。)
で表されるヤヌス型トリプチセン誘導体、及び当該ヤヌス型トリプチセン誘導体を製造するための中間体である一般式[II]で表されるヤヌス型トリプチセン誘導体に関する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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