シリカトロイド型光共振器の製造方法

開放特許情報番号
L2017000405
開放特許情報登録日
2017/3/1
最新更新日
2017/3/1

基本情報

出願番号 特願2012-041565
出願日 2012/2/28
出願人 学校法人慶應義塾
公開番号 特開2013-178349
公開日 2013/9/9
登録番号 特許第5871655号
特許権者 学校法人慶應義塾
発明の名称 シリカトロイド型光共振器の製造方法
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリカトロイド型光共振器及びシリカトロイド型光共振器の製造方法
目的 光結合特性及び機械的安定性を両立することができ、安価なシリカトロイド型光共振器を提供する。
効果 シリカトロイド型光共振器は、光共振器と光ファイバとの間の距離の高精度の制御が必要なく、振動が少ない実験室などから持ち出してセンサやレーザなどに応用する場合においても、光共振器の経時における安定的な作動が達成することができる。また、本実施形態のシリカトロイド型光共振器の製造方法は、フッ化キセノンなどの高価なガスを使用することもないので、大量生産の際にも好ましく採用することができる。
技術概要
シリコン基板を熱酸化して酸化シリコン層を形成する工程と、前記酸化シリコン層を円形または楕円形のパターンにパターニングする工程と、パターニングされた前記酸化シリコン層を異方性エッチングによりエッチングし、前記シリコン基板の厚さ方向と垂直な方向の断面が多角形であるシリコンポスト部を形成する工程と、
前記酸化シリコン層を二酸化炭素レーザで照射することにより、前記酸化シリコン層の厚さ方向と垂直な方向の断面を多角形にする工程と、を含む、シリカトロイド型光共振器の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人慶應義塾

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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