マグネトロンスパッタリング装置、及び、磁場形成装置

開放特許情報番号

L2017000327

開放特許情報登録日

2017/2/21

最新更新日

2021/10/28

基本情報

出願番号	特願2018-554267
出願日	2017/11/30
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	WO2018/101444
公開日	2018/6/7
登録番号	特許第6938037号
特許権者	国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称	マグネトロンスパッタリング装置、及び、磁場形成装置
技術分野	金属材料、電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	マグネトロンスパッタリング装置、及び、磁場形成装置
目的	マグネトロンスパッタ法を用いたスパッタリング装置を簡略化する。
効果	ターゲット表面の広範囲にプラズマを発生させるマグネトロンスパッタリング装置の構成を簡略化するという優れた効果を奏する。
技術概要	真空チャンバと、 前記真空チャンバ内に配置されるスパッタリングターゲットと、 前記スパッタリングターゲットの裏面側に配置されて前記スパッタリングターゲットの中央部および外縁部の近傍においてそれぞれ異なる極性の磁極を備えることにより前記スパッタリングターゲットの中央部および外縁部と交差して前記スパッタリングターゲットの表面側に膨出するループ状磁束を形成する内環状磁石と、 前記スパッタリングターゲットの裏面側における前記内環状磁石の外側に配置されて前記スパッタリングターゲットの外縁近傍における前記ループ状磁束を調整する外環状磁石と、 前記内環状磁石および前記外環状磁石を保持するヨークと を具備するマグネトロンスパッタリング装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】