マグネトロンスパッタリング装置及び透明導電性酸化物膜の形成方法

開放特許情報番号
L2017000323
開放特許情報登録日
2017/2/21
最新更新日
2018/7/24

基本情報

出願番号 特願2016-228160
出願日 2016/11/24
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2018-083971
公開日 2018/5/31
発明の名称 マグネトロンスパッタリング装置及び透明導電性酸化物膜の形成方法
技術分野 金属材料、化学・薬品、無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 マグネトロンスパッタリング装置及び透明導電性酸化物膜の形成方法
目的 試料に透明導電性酸化物膜を形成する際に、透明導電性酸化物膜への酸素負イオンの入射を低減させることが可能なマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
効果 試料に透明導電性酸化物膜を形成する際に、透明導電性酸化物膜への酸素負イオンの入射を低減させることが可能なマグネトロンスパッタリング装置を提供することができる。
技術概要
マグネトロンスパッタリング装置10は、試料Sを載置する試料台11の上部に、試料Sに透明導電性酸化物膜を形成することが可能なターゲット12が設置されている。試料台11に載置される試料Sは、ターゲット12から放出される酸素負イオンを遮蔽することが可能な遮蔽壁13により囲まれる。遮蔽壁13は、ターゲット12に対向しない部位に開口部Aが形成されており、開口部Aに対向する部位に試料Sを固定する試料固定板を有し、試料固定板の上部に、上部遮蔽板が試料固定板と連続して形成されており、試料固定板の両側部に、側部遮蔽板が試料固定板と連続して形成されている。上部遮蔽板が試料固定板に対して連続して形成されている長さは、側部遮蔽板が試料固定板に対して連続して形成されている長さよりも大きい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT