結晶化方法、パターニング方法、および、薄膜トランジスタ作製方法

開放特許情報番号
L2017000305
開放特許情報登録日
2017/2/20
最新更新日
2017/2/20

基本情報

出願番号 特願2015-135706
出願日 2015/7/6
出願人 国立大学法人島根大学
公開番号 特開2017-017292
公開日 2017/1/19
発明の名称 結晶化方法、パターニング方法、および、薄膜トランジスタ作製方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 結晶化方法、パターニング方法、および、薄膜トランジスタの作製方法
目的 半導体レーザを用いて非晶質の半導体膜等の所望箇所を効率的かつ簡便に単結晶化する方法を提供する。
効果 半導体レーザを用いて非晶質の半導体膜等の所望箇所を効率的かつ簡便に単結晶化する方法を提供できる。また、レジストを不要とする新たなパターニング方法およびその応用製品を提供することができる。
なお、高出力の半導体レーザであれば、逆に、光学系を用いてレーザスポットの幅を広げるなどして、大面積を単結晶化することもできる。
技術概要
半導体レーザ装置からのレーザ光を、プリズムを用いて光の進行方向から見て略V字状のビームスポットに形状変更し、平面的に広がる非晶質ないし微結晶の対象素材に対してビームスポットをV字頂点が進行方向前側となるように配向して相対的に移動させ、照射軌跡部分をラテラル成長により単結晶化することを特徴とする結晶化方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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