不揮発性半導体記憶装置および同装置の製造方法

開放特許情報番号
L2017000302
開放特許情報登録日
2017/2/15
最新更新日
2017/2/15

基本情報

出願番号 特願2011-084216
出願日 2011/4/6
出願人 国立大学法人鳥取大学
公開番号 特開2012-222059
公開日 2012/11/12
登録番号 特許第5690635号
特許権者 国立大学法人鳥取大学
発明の名称 不揮発性半導体記憶装置および同装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 不揮発性半導体記憶装置および同装置の製造方法
目的 高抵抗状態と低抵抗状態の抵抗値の比を大きくし得る素子構造および同素子の製造方法及び素子間ばらつきの低減方法を提供することで、読み出しエラーの効果的な防止と多値応用、更に、メモリ素子の大容量化を可能とする。
効果 従来の抵抗変化型半導体記憶装置に比し、高抵抗と低抵抗の比を大きくすることができ、従って読み出しの信頼度が向上し、多値応用に有利である。
また、記憶装置の使用目的に応じ材料の選択ができる。さらにまた、本件装置は加熱処理によって製造することができるので、半導体ウエハ面内の素子間のばらつきが低減され、ひいては大容量化を可能にするものである。
技術概要
Bi↓2Sr↓2CaCu↓2O↓(8+δ)よりなるペロブスカイト酸化物の一面に当該ペロブスカイト酸化物における酸化のギブズエネルギーより小なる酸化のギブズエネルギーを有する金属が設けられるとともに、前記ペロブスカイト酸化物から前記金属へ当該ペロブスカイト酸化物の酸素が移動することで当該金属の酸化と当該ペロブスカイト酸化物の還元が進行するために必要な活性化エネルギー以上のエネルギーが与えられるように加熱することによって得られる酸素欠乏層が前記ペロブスカイト酸化物の前記金属と接触した近傍の領域に存在するようになし、前記金属よりなる一方の電極と前記酸素欠乏層を介して対となる他方の電極間の電圧−電流特性のヒステリシス特性を利用することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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