記憶説及び記憶回路

開放特許情報番号
L2017000258
開放特許情報登録日
2017/2/8
最新更新日
2017/2/8

基本情報

出願番号 PCT/JP2016/064798
出願日 2016/5/18
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 WO2016/186148
公開日 2016/11/24
発明の名称 記憶セル、記憶回路、及び記憶方法
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 記憶セル、記憶回路、及び記憶方法
目的 より改善された記憶セルとそれを備えた記憶回路、及び記憶方法を提供する。また、読み出しが容易で応答性に優れた記憶セルとそれを備えた記憶回路、及び記憶方法を提供する。
効果 新規で、簡単な構成で且つ有効な記憶セル、記憶回路、及び記憶方法を提供できる。
技術概要
正極と、正極上に形成された電解質層と、前記電解質層上に形成された負極と、から構成される記憶セル。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT