導電体膜の製造方法

開放特許情報番号
L2017000247
開放特許情報登録日
2017/2/6
最新更新日
2017/2/6

基本情報

出願番号 特願2015-033872
出願日 2015/2/24
出願人 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
公開番号 特開2016-157563
公開日 2016/9/1
発明の名称 導電体膜の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 導電体膜の製造方法
目的 高い導電性を備える導電体膜を安定的に形成することが可能な導電体膜の製造方法を提供する。
効果 前駆体膜を作製する際の酸素分圧の条件を緩和することができる。つまり、酸素分圧の条件を酸素分圧が高い領域まで広げることができるので、プロセスウィンドウを広げることができる。したがって、安定的に導電体膜を形成することができる。
技術概要
本発明にかかる導電体膜の製造方法は、ドーパントとしてNbおよびTaの少なくとも1つを含む非晶質の酸化チタン膜を成膜する成膜工程(ステップS1)と、非晶質の酸化チタン膜を第1の温度でアニールして、非晶質の酸化チタン膜を結晶化させる結晶化アニール工程(ステップS2)と、結晶化した酸化チタン膜を還元雰囲気において第1の温度よりも高い第2の温度でアニールして、結晶化した酸化チタン膜に含まれる欠陥を除去する欠陥除去アニール工程(ステップS3)と、を含む。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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