半導体素子の製造方法、半導体素子の製造デバイス、半導体素子、及び該半導体素子を用いてなる熱電変換素子

開放特許情報番号
L2017000017
開放特許情報登録日
2017/1/6
最新更新日
2017/1/6

基本情報

出願番号 特願2014-135553
出願日 2014/7/1
出願人 公立大学法人首都大学東京
公開番号 特開2016-015361
公開日 2016/1/28
発明の名称 半導体素子の製造方法、半導体素子の製造デバイス、半導体素子、及び該半導体素子を用いてなる熱電変換素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体素子の製造方法、半導体素子の製造デバイス、半導体素子、及び該半導体素子を用いてなる熱電変換素子
目的 簡便で、ドーピングの制御がしやすく、且つ、ドーピングの効果が高く、p型−n型の半導体素子の製造が可能な半導体素子の製造方法、半導体素子の製造デバイス、半導体素子、及び該半導体素子を用いてなる熱電変換素子を提供する。
効果 本発明の半導体素子の製造方法は、製造する半導体素子のp型−n型を連続的にかつ高精度に制御することができ、簡便で、ドーピングの制御がしやすく、かつドーピングの効果が高いものである。
半導体素子は、p型−n型を連続的にかつ高精度に制御されたものであり、すぐれた性能を有するものである。
熱電変換素子は、優れた熱電変換能を有するものである。
技術概要
2つの電極間に、一方の電極に近接して素子前駆体を載置すると共にイオン含有物を該素子前駆体と他方の電極間に置き、所定電圧を印加する、イオンドーピング工程を含み、上記素子前駆体がカーボンナノチューブ、層状2次元材料、又はナノワイヤーからなる成形体であることを特徴とするp型−n型制御可能な半導体素子の製造方法、上記製造方法に用いることができる半導体素子の製造デバイス、上記製造方法により得られる半導体素子、上記半導体素子を用いてなる熱電変換素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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