半導体装置の製造方法、及び半導体装置

開放特許情報番号
L2016002038
開放特許情報登録日
2016/12/27
最新更新日
2016/12/27

基本情報

出願番号 特願2010-130412
出願日 2010/6/7
出願人 新電元工業株式会社
公開番号 特開2011-258662
公開日 2011/12/22
登録番号 特許第5548527号
特許権者 新電元工業株式会社
発明の名称 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
目的 MPS構造の半導体装置において、逆方向特性の漏れ電流を低減できる半導体装置の製造方法を提供すること。
効果 本発明の半導体装置の製造方法では、金属層形成工程において、形成する金属層の膜厚を薄くすることで、このスパイク状の欠陥の発生を低減することができる。本発明の半導体装置の製造方法では、低温で熱処理される絶縁膜のベーク処理と共に、オーミック接合部の金属層をシリサイド化させる。これにより、本発明の半導体装置の製造方法では、このスパイク状の欠陥の発生を低減することができる。このスパイク状の欠陥の発生が低減されるため、逆方向特性の漏れ電流を低減できる。
技術概要
本発明は、第1の導電型の半導体と金属層がオーミック接合するオーミック接合部と、第2の導電型の半導体と前記金属層がショットキ接合するショットキ接合部とを備える半導体装置の製造方法であって、前記オーミック接合部がオーミック接合可能な膜厚範囲で薄くした膜厚によって、前記金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層の一部を覆って保護する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜形成工程の後に、前記絶縁膜をベークすると共に、前記オーミック接合部の前記金属層をシリサイド化させる熱処理工程とを有する半導体装置の製造方法である。また、本発明は、上記発明において、前記オーミック接合可能な範囲で薄くした膜厚は、ワイヤーボンディングによる応力を考慮した厚さであることを特徴とする。また、上記発明において、前記金属層は、アルミニウムであることを特徴とする。また、上記発明において、前記金属層は、白金又はニッケルであることを特徴とする。また、上記発明において、前記金属層の前記膜厚は、0.5μmから3μmの範囲内の値であることを特徴とする。また、本発明は、上記発明における半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 新電元工業株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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