サセプタおよび化学気相成長方法

開放特許情報番号
L2016002029
開放特許情報登録日
2016/12/27
最新更新日
2016/12/27

基本情報

出願番号 特願2004-221792
出願日 2004/7/29
出願人 新電元工業株式会社
公開番号 特開2006-041358
公開日 2006/2/9
登録番号 特許第4252944号
特許権者 新電元工業株式会社
発明の名称 サセプタおよび化学気相成長方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 サセプタ、化学気相成長方法
目的 基板裏面へのSiCの転写を防止すると共に、均一な組成のSiC薄膜を得ることができるサセプタおよび化学気相成長方法を提供する。
効果 基板を載置可能な主面を有し、TaC膜で被覆された第1の黒鉛部材と、第1の黒鉛部材上に基板が載置された状態で、基板によって被覆された部分を除く主面を被覆するための、SiC膜で被覆された第2の黒鉛部材とを組み合わせてサセプタを構成したので、基板裏面へのSiCの転写を防止すると共に、均一な組成のSiC薄膜を得ることができるという効果が得られる。
技術概要
反応ガスの反応によって基板の表面に薄膜を形成する化学気相成長に用いられ、前記基板を支持するサセプタにおいて、
前記基板を載置可能な主面を有し、TaC膜で被覆された第1の黒鉛部材と、
前記基板が前記第1の黒鉛部材の前記主面上に載置された状態において、前記基板によって被覆された部分を除く前記主面を被覆するための、SiC膜で被覆された第2の黒鉛部材と、
を具備し、前記第2の黒鉛部材は、前記第1の黒鉛部材との間で前記基板を挟み込むために前記基板の周縁部を覆うように突出した突出部を有する
ことを特徴とするサセプタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 新電元工業株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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