プラズマ反応装置

開放特許情報番号
L2016001890
開放特許情報登録日
2016/12/9
最新更新日
2016/12/9

基本情報

出願番号 特願2014-233732
出願日 2014/11/18
出願人 学校法人東京電機大学
公開番号 特開2016-098383
公開日 2016/5/30
発明の名称 プラズマ反応装置
技術分野 金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 プラズマ反応装置
目的 簡易な構成によって、プラズマを利用した基材の加工を促進できるプラズマ反応装置を提供する。
効果 本発明に係るプラズマ反応装置は、基材の周囲を包囲する筒型電極を設置することで、筒型電極の内部、すなわち基材の周囲のプラズマ強度を増大させることができるので、簡易な構成によって、プラズマを利用した基材の加工を促進できるという効果を奏する。
技術概要
プラズマ反応装置の一例としての高周波プラズマCVD装置1は、原料ガスを導入する反応室2と、平板状に形成され相互に対向する対向面6a,7aが設けられるアノード電極6及びカソード電極7を有し、反応室2の内部に配置される電極部5と、カソード電極7の対向面7aに基材11と共に設置され、基材11の周囲を包囲する筒型電極10と、高周波を電極部5に発生させる高周波電源9と、を備える。高周波プラズマCVD装置1は、高周波により炭化水素系ガスをプラズマ化させ、炭化水素系ガスの化学反応を活性化させることで、反応室2内に設置され筒型電極10に包囲される基材11の表面にDLC膜を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 東京電機大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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