| 出願番号 |
特願2014-233732 |
| 出願日 |
2014/11/18 |
| 出願人 |
学校法人東京電機大学 |
| 公開番号 |
特開2016-098383 |
| 公開日 |
2016/5/30 |
| 登録番号 |
特許第6411869号 |
| 特許権者 |
学校法人東京電機大学 |
| 発明の名称 |
プラズマ反応装置 |
| 技術分野 |
金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
プラズマ反応装置 |
| 目的 |
簡易な構成によって、プラズマを利用した基材の加工を促進できるプラズマ反応装置を提供する。 |
| 効果 |
本発明に係るプラズマ反応装置は、基材の周囲を包囲する筒型電極を設置することで、筒型電極の内部、すなわち基材の周囲のプラズマ強度を増大させることができるので、簡易な構成によって、プラズマを利用した基材の加工を促進できるという効果を奏する。 |
技術概要
 |
プラズマ反応装置の一例としての高周波プラズマＣＶＤ装置１は、原料ガスを導入する反応室２と、平板状に形成され相互に対向する対向面６ａ，７ａが設けられるアノード電極６及びカソード電極７を有し、反応室２の内部に配置される電極部５と、カソード電極７の対向面７ａに基材１１と共に設置され、基材１１の周囲を包囲する筒型電極１０と、高周波を電極部５に発生させる高周波電源９と、を備える。高周波プラズマＣＶＤ装置１は、高周波により炭化水素系ガスをプラズマ化させ、炭化水素系ガスの化学反応を活性化させることで、反応室２内に設置され筒型電極１０に包囲される基材１１の表面にＤＬＣ膜を形成する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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