磁性体装置及び高周波デバイス

開放特許情報番号
L2016001664
開放特許情報登録日
2016/11/9
最新更新日
2016/11/9

基本情報

出願番号 特願2015-039016
出願日 2015/2/27
出願人 公立大学法人大阪府立大学
公開番号 特開2016-162845
公開日 2016/9/5
発明の名称 磁性体装置及び高周波デバイス
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁性体装置及び高周波デバイス
目的 本発明は、キラルらせん磁気秩序を示す磁性体の特性を利用した磁性体装置を提供する。
効果 磁性体部はキラルらせん磁気秩序を示す磁性体を含むため、らせん磁気秩序のソリトンが伝播することができる。
さらに、共鳴に伴い巨大なスピン起電力やコヒーレントスピン流を誘起できるため、本発明の磁性体装置は、電磁場・電力発生器として機能することができる。
階段状に磁性体部の電気抵抗や光学応答を変化させることができ、この電気抵抗や光学応答の階段状の変化を利用することにより磁気デバイス(メモリ・センサ・論理素子)の多値化が可能である。
技術概要
キラルらせん磁気秩序を示す磁性体を含む磁性体部と、キラルらせん磁気秩序のソリトンの伝播を制限する複数の制限手段とを備え、
前記磁性体部は、2つの前記制限手段によりキラルらせん磁気秩序にソリトンが閉じ込められた複数の第1領域を有し、複数の第1領域は、キラルらせん磁気秩序に閉じ込められたソリトンの数が実質的に同じであることを特徴とする磁性体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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