熱電変換素子

開放特許情報番号
L2016001658
開放特許情報登録日
2016/11/9
最新更新日
2016/11/9

基本情報

出願番号 特願2014-131400
出願日 2014/6/26
出願人 公立大学法人大阪府立大学
公開番号 特開2016-009830
公開日 2016/1/18
発明の名称 熱電変換素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 熱電変換素子
目的 大きいゼーベック係数を有する熱電変換素子を提供する。
効果 熱電変換層の面内方向のゼーベック係数を大きくすることができる。
技術概要
本発明の熱電変換素子は、半導体層と、前記半導体層上に直接設けられた絶縁体層上に又は前記半導体層上に直接設けられた熱電変換層とを備え、前記熱電変換層は、1 nm以上500 nm以下の厚さを有することを特徴とする。また、本発明の熱電変換素子において、前記半導体層及び前記熱電変換層が、前記半導体層がn型半導体層である場合前記熱電変換層の面内方向のゼーベック係数がプラス値及びマイナス値のうち一方の値となり、前記半導体層がp型半導体層である場合前記熱電変換層の面内方向のゼーベック係数が他方の値となるように設けられてもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT