光伝導素子、テラヘルツ波発生装置、テラヘルツ波検出装置、テラヘルツ波発生方法およびテラヘルツ波検出方法

開放特許情報番号
L2016001652
開放特許情報登録日
2016/11/9
最新更新日
2020/4/22

基本情報

出願番号 特願2014-247837
出願日 2014/12/8
出願人 公立大学法人大阪府立大学
公開番号 特開2016-111219
公開日 2016/6/20
登録番号 特許第6457803号
特許権者 公立大学法人大阪
発明の名称 光伝導素子、テラヘルツ波発生装置、テラヘルツ波検出装置、テラヘルツ波発生方法およびテラヘルツ波検出方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造、検査・検出
適用製品 テラヘルツ波を発生または検出するための光伝導素子
目的 より簡便に製造可能な、テラヘルツ波を発するまたは検出するための光伝導素子を提供する。
効果 本発明によれば、より簡便に製造可能な、テラヘルツ波を発するまたは検出するための光伝導素子を実現できる。
また、本発明によれば、テラヘルツ波を発生または検出するための装置および方法をより安価に実現できる。
技術概要
テラヘルツ波を発生または検出するための光伝導素子であって、
アンチモン(Sb)およびビスマス(Bi)のうちの少なくとも1種と、セレン(Se)およびテルル(Te)のうちの少なくとも1種とを含むトポロジカル絶縁体薄膜と、
前記トポロジカル絶縁体薄膜の面方向に沿って、対向して配置された第1および第2の電極を含むアンテナ構造体とを備える、光伝導素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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