半導体装置

開放特許情報番号
L2016001620
開放特許情報登録日
2016/11/3
最新更新日
2016/11/3

基本情報

出願番号 特願2015-020662
出願日 2015/2/4
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2016-143840
公開日 2016/8/8
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体装置の高耐圧化・大電流化・安定動作化技術、高出力化・高信頼化・低価格化技術
目的 基板上面に、ソース電極(もしくは、エミッタ電極)及び電気信号入力のためのゲート電極を、基板背面にドレイン電極(もしくは、コレクタ電極)を夫々設けてある縦型ヘテロ接合構造の電界効果型トランジスタ動作(もしくは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)における半導体装置にあって、デバイス動作の高耐圧化・大電流化・高効率化・安定動作化・高信頼化・低価格化が可能なものを提供する。
効果 半導体装置において電気信号の入力及び出力信号を制御して利用する場合において、デバイス動作の高耐圧化・大電流化・安定動作化・高信頼化・低価格化の向上を図るために、結晶欠陥や不純物の少ない高品質な結晶を実現。
技術概要
基板上面に、ワイドギャップ半導体、もしくは、ワイドギャップ系混晶半導体を形成してなる動作層(ドリフト層)の上面に、前記動作層よりエネルギーギャップが小さい異種半導体のN型半導体障壁層、もしくは、N型とP型半導体障壁層の両者を形成してなるヘテロ接合障壁層の上面に、ソース電極(もしくは、エミッタ電極)、及び、前記ヘテロ接合障壁層にトレンチ構造を形成してなる信号入力のためのゲート電極を夫々設け、前記基板背面にドレイン電極を設けてなる縦型ヘテロ接合構造の電界効果型トランジスタを形成してなるVHMOSFET構造を有する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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