半導体装置とその製造方法

開放特許情報番号
L2016001619
開放特許情報登録日
2016/11/3
最新更新日
2016/11/3

基本情報

出願番号 特願2015-020663
出願日 2015/2/4
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2016-143841
公開日 2016/8/8
発明の名称 半導体装置とその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体装置
目的 デバイス動作の高耐圧化・大電流化・高効率化・安定動作化・高信頼化・低価格化が可能なものを提供する。
効果 基板上面に、ショットキ接合型アノード電極を、基板背面にオーミック接合型カソード電極を夫々設けてあるダイオードにおける半導体装置の高耐圧化・大電流化・安定動作化技術、もしくは、半導体装置の高出力化・高信頼化・低価格化技術を提供できる。
技術概要
基板上面に、ワイドギャップ半導体、もしくは、ワイドギャップ系混晶半導体を形成してなる動作層(ドリフト層)の上面に、ヘテロ接合障壁層として、前記動作層よりエネルギーギャップが小さい異種半導体のn型半導体障壁層、もしくは、p型半導体障壁層を形成し、ショットキ接合型アノード電極及びオーミック接合型カソード電極を夫々設けてある縦型ヘテロ接合ダイオード動作をする半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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