積層型半導体装置及びその製造方法

開放特許情報番号
L2016001592
開放特許情報登録日
2016/10/31
最新更新日
2016/10/31

基本情報

出願番号 特願2011-228710
出願日 2011/10/18
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2013-089752
公開日 2013/5/13
登録番号 特許第5956736号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 積層型半導体装置及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 積層型半導体装置及びその製造方法
目的 接続電極のピッチを大きくせずにゲートの寄生容量を小さくすることができ、回路の高速化と層間接続の高密度化の両立が図れる積層型半導体装置及びその製造方法を提供すること。
効果 回路動作を高速化できるとともに、層間接続の高密度化を図ることができる。
技術概要
本発明の一態様に係る積層型半導体装置は、第1のゲートと、該第1のゲートよりも下層に形成された第1及び第2の不純物拡散領域とを有する第1の半導体素子と、前記第1のゲートと対向して接合された第2のゲートと、該第2のゲートよりも上層に形成された第3及び第4の不純物拡散領域とを有する第2の半導体素子と、を有することを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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