| 出願番号 |
特願2011-280327 |
| 出願日 |
2011/12/21 |
| 出願人 |
日本放送協会 |
| 公開番号 |
特開2013-131640 |
| 公開日 |
2013/7/4 |
| 登録番号 |
特許第5906079号 |
| 特許権者 |
日本放送協会 |
| 発明の名称 |
ドレイン電流のシミュレーション装置及びドレイン電流のシミュレーションプログラム |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ドレイン電流を計算するシミュレーション装置及びそのプログラム |
| 目的 |
酸化物半導体ＴＦＴのように、半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型のＴＦＴに適用可能であり、かつ、高速にドレイン電流のシミュレーションを行うことができるシミュレーション装置及びシミュレーションプログラムを提供する。 |
| 効果 |
半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型のＴＦＴについて、半導体膜の深さ方向についてのポテンシャル分布を算出し、その一次元ポテンシャル分布に基づいてドレイン電流を算出するため、ハイスペックなコンピュータを用いることなく、高速かつ高精度にドレイン電流の基本特性を計算することができる。
半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型のＴＦＴについて、ドレイン電流の基本特性を高速かつ高精度に計算することができる。 |
技術概要
 |
シミュレーションの対象が半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型の薄膜トランジスタであって、前記半導体膜と絶縁膜とゲート電極とをこの順で積層した構造を有する電界効果型の前記薄膜トランジスタについて、ドレイン電極とソース電極との間の電圧であるドレイン−ソース間電圧が低いときに、前記ドレイン電極と前記ソース電極との間の電流であるドレイン電流を計算するドレイン電流のシミュレーション装置。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)