ホウ素ドープダイヤモンド
- 開放特許情報番号
- L2016001565
- 開放特許情報登録日
- 2016/10/27
- 最新更新日
- 2022/4/1
基本情報
| 出願番号 | 特願2016-141306 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/7/19 |
| 出願人 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2018/1/25 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 | ホウ素ドープダイヤモンド |
| 技術分野 | 無機材料、化学・薬品、金属材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | ホウ素ドープダイヤモンド |
| 目的 | ホウ素を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値が小さい、ホウ素ドープダイヤモンドの提供。 |
| 効果 | ホウ素を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値の小さいホウ素ドープダイヤモンドを提供することができる。 |
技術概要) |
ダイヤモンドにホウ素がドープされている、ホウ素ドープダイヤモンドであって、二次イオン質量分析法で測定したホウ素濃度が、１×１０19ｃｍ-3超、１×１０22ｃｍ-3以下の範囲にあり、Ｘ線吸収微細構造解析（ＮＥＸＡＦＳ）によって測定される、Ｘ線光子エネルギー２８８ｅＶ〜２９０ｅＶの範囲に位置するダイヤモンドコアエキシントンのピーク強度Ａと、Ｘ線光子エネルギー２８６．２ｅＶ〜２８８．５ｅＶの範囲におけるピーク強度面積Ｂとの比（Ｂ／Ａ）が、０．３０以下である、ホウ素ドープダイヤモンド。前記ホウ素ドープダイヤモンドは、熱フィラメントＣＶＤ法により好適に製造することができる。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
|---|---|
その他の情報
| 関連特許 |
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