ホウ素ドープダイヤモンド

開放特許情報番号
L2016001565
開放特許情報登録日
2016/10/27
最新更新日
2018/3/29

基本情報

出願番号 特願2016-141306
出願日 2016/7/19
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2018-012612
公開日 2018/1/25
発明の名称 ホウ素ドープダイヤモンド
技術分野 無機材料、化学・薬品、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 ホウ素ドープダイヤモンド
目的 ホウ素を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値が小さい、ホウ素ドープダイヤモンドの提供。
効果 ホウ素を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値の小さいホウ素ドープダイヤモンドを提供することができる。
技術概要
ダイヤモンドにホウ素がドープされている、ホウ素ドープダイヤモンドであって、二次イオン質量分析法で測定したホウ素濃度が、1×1019cm-3超、1×1022cm-3以下の範囲にあり、X線吸収微細構造解析(NEXAFS)によって測定される、X線光子エネルギー288eV〜290eVの範囲に位置するダイヤモンドコアエキシントンのピーク強度Aと、X線光子エネルギー286.2eV〜288.5eVの範囲におけるピーク強度面積Bとの比(B/A)が、0.30以下である、ホウ素ドープダイヤモンド。前記ホウ素ドープダイヤモンドは、熱フィラメントCVD法により好適に製造することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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