ホウ素ドープダイヤモンド
- 開放特許情報番号
- L2016001565
- 開放特許情報登録日
- 2016/10/27
- 最新更新日
- 2022/4/1
基本情報
出願番号 | 特願2016-141306 |
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出願日 | 2016/7/19 |
出願人 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
公開番号 | |
公開日 | 2018/1/25 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 | ホウ素ドープダイヤモンド |
技術分野 | 無機材料、化学・薬品、金属材料 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | ホウ素ドープダイヤモンド |
目的 | ホウ素を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値が小さい、ホウ素ドープダイヤモンドの提供。 |
効果 | ホウ素を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値の小さいホウ素ドープダイヤモンドを提供することができる。 |
技術概要![]() |
ダイヤモンドにホウ素がドープされている、ホウ素ドープダイヤモンドであって、二次イオン質量分析法で測定したホウ素濃度が、1×1019cm-3超、1×1022cm-3以下の範囲にあり、X線吸収微細構造解析(NEXAFS)によって測定される、X線光子エネルギー288eV〜290eVの範囲に位置するダイヤモンドコアエキシントンのピーク強度Aと、X線光子エネルギー286.2eV〜288.5eVの範囲におけるピーク強度面積Bとの比(B/A)が、0.30以下である、ホウ素ドープダイヤモンド。前記ホウ素ドープダイヤモンドは、熱フィラメントCVD法により好適に製造することができる。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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