不純物ドープダイヤモンド

開放特許情報番号
L2016001564
開放特許情報登録日
2016/10/27
最新更新日
2018/3/29

基本情報

出願番号 特願2016-141305
出願日 2016/7/19
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2018-012611
公開日 2018/1/25
発明の名称 不純物ドープダイヤモンド
技術分野 無機材料、電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 不純物ドープダイヤモンド
目的 不純物を高濃度で含んでいるにも拘わらず、結晶格子定数とベガード則による理論値とのずれが非常に小さく、電気抵抗値の小さい不純物ドープダイヤモンドを提供する。
効果 本発明によれば、不純物を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値の小さい不純物ドープダイヤモンドを提供することができる。
技術概要
ダイヤモンドに不純物がドープされている、不純物ドープダイヤモンドであって、二次イオン質量分析法で測定した不純物濃度が、5×10↑(20)cm↑(-3)以上、1×10↑(22)cm↑(-3)以下の範囲にあり、
X線構造解析に基づき下記式(1)で算出される結晶格子歪み(Δa/a)は、ベガード則に基づく結晶格子歪みからのずれが、100ppm以内である、不純物ドープダイヤモンド。
結晶格子歪み(Δa/a)=(a↓(doped)−a↓(ref))/a↓(ref)×100(%) (1)
a↓(doped):不純物ドープダイヤモンドの格子定数
a↓(ref):ダイヤモンド標準試料の格子定数(3.567Å)
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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