不純物ドープダイヤモンド

開放特許情報番号

L2016001564

開放特許情報登録日

2016/10/27

最新更新日

2021/4/20

基本情報

出願番号	特願2016-141305
出願日	2016/7/19
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	特開2018-012611
公開日	2018/1/25
登録番号	特許第6845497号
特許権者	国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称	不純物ドープダイヤモンド
技術分野	無機材料、電気・電子、金属材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	不純物ドープダイヤモンド
目的	不純物を高濃度で含んでいるにも拘わらず、結晶格子定数とベガード則による理論値とのずれが非常に小さく、電気抵抗値の小さい不純物ドープダイヤモンドを提供する。
効果	本発明によれば、不純物を高濃度で含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値の小さい不純物ドープダイヤモンドを提供することができる。
技術概要	ダイヤモンドに不純物がドープされている、不純物ドープダイヤモンドであって、二次イオン質量分析法で測定した不純物濃度が、５×１０↑（20）ｃｍ↑（-3）以上、１×１０↑（22）ｃｍ↑（-3）以下の範囲にあり、 Ｘ線構造解析に基づき下記式（１）で算出される結晶格子歪み（Δａ／ａ）は、ベガード則に基づく結晶格子歪みからのずれが、１００ｐｐｍ以内である、不純物ドープダイヤモンド。 結晶格子歪み（Δａ／ａ）＝（ａ↓（doped）−ａ↓（ref））／ａ↓（ref）×１００（％） （１） ａ↓（doped）：不純物ドープダイヤモンドの格子定数 ａ↓（ref）：ダイヤモンド標準試料の格子定数（３．５６７Å）
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】