半導体発光素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2016001559
開放特許情報登録日
2016/10/27
最新更新日
2018/3/29

基本情報

出願番号 特願2016-136966
出願日 2016/7/11
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2018-010897
公開日 2018/1/18
発明の名称 半導体発光素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体発光素子及びその製造方法
目的 優れた発光特性を有する、量子井戸構造を備える半導体発光素子、及びその製造方法を提供する。
効果 室温において優れた発光量を示す半導体発光素子を実現することができる。
キャリア寿命及びスピン緩和時間が優れ、その結果スピン変換効率が従来に比べて増加した半導体発光素子を実現できる。
井戸層の厚さの調整等により、スピン緩和時間が4ns以上6ns以下を実現でき、その結果、スピン変換係数は0.25以上0.5以下を実現できる。
結晶欠陥を低減することができ、その結果、キャリア寿命を改善でき、発光量の増加を実現できる。
技術概要
半導体基板上に半導体量子井戸構造を備え、キャリア寿命が4ns以上6ns以下の発光効率を有し、かつスピン変換効率が0.25以上で0.5以下であることを特徴とする半導体発光素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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