半導体発光装置

開放特許情報番号
L2016001374
開放特許情報登録日
2016/9/2
最新更新日
2016/9/2

基本情報

出願番号 特願2004-306988
出願日 2004/10/21
出願人 株式会社フジクラ
公開番号 特開2006-120844
公開日 2006/5/11
登録番号 特許第4602736号
特許権者 株式会社フジクラ
発明の名称 半導体発光装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体発光装置
目的 長期保管後の長期信頼性に耐え得る構造を有し、且つ細線のワイヤーやワイヤーと電極の接続点にかかる負荷を抑制することができる半導体発光装置を提供する。
効果 一対の電極に電気的に接続された半導体発光素子と、この半導体発光素子を覆う封止樹脂を少なくとも備える半導体発光装置であって、封止樹脂の表面で、且つ光の出射領域内に静電気防止処理が施された光透過性の高い保護層を設けることで、べたつく表層が空気中に曝されないので粉塵、埃などの付着量を低下させることができる。これにより埃などの付着量に応じて低下していた光の透過率の低下を抑制することができるので、結果として、製品の長期保管後の長期信頼性を招来することができるようになる。
技術概要
プリント配線板上にリフロー半田付けされて実装される半導体発光装置であって、
基板と、前記基板に設けられる一対の電極と、前記基板に設けられ、前記一対の電極とワイヤーで電気的に接続され、紫外光を発光する半導体発光素子と、前記半導体発光素子と前記ワイヤーとの周囲に設けられ、矩形状に形成された基材と、前記基材で形成される凹部に充填され、日本工業規格で規定されるJISA60以下の硬度を有する第1のシリコン樹脂で形成される封止樹脂と、を備え、
前記封止樹脂の表面に設けられ、光の出射領域内に静電気防止処理が施された高光透過性を有する保護層を有し、前記保護層は、日本工業規格で規定されるJISA70以上の硬度を有する第2のシリコン樹脂で形成されることを特徴とする半導体発光装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【否】

登録者情報

登録者名称 株式会社フジクラ

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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