光電変換素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2016001326
開放特許情報登録日
2016/8/15
最新更新日
2016/8/15

基本情報

出願番号 特願2015-092524
出願日 2015/4/30
出願人 国立大学法人 千葉大学
公開番号 特開2016-111317
公開日 2016/6/20
発明の名称 光電変換素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光電変換装置およびその製造方法
目的 簡便かつ効果的に接合リーク電流を減少させることのできる光電変換素子及びその製造方法を提供する。
効果 簡便かつ効果的に、接合リーク電流を減少させることのできる光電変換素子及び非発光中心を抑制した発光素子、さらにそれらの製造方法を提供することができる。
太陽電池、紫外発光素子の光電変換素子、高耐圧ダイオード、パワートランジスター、さらにアモルファス透明TFTとして産業上の利用可能性がある。
技術概要
本発明の一観点に係る光電変換素子は、第1伝導型からなる第1半導体層と、第1半導体層上に形成される活性層と、活性層上に形成され、第2伝導型からなる第2半導体層と、を備える光電変換素子であって、第1半導体層および活性層および第2半導体層の少なくともいずれかが、転位不活性部を有する。また他の一観点に係る光電変換素子の製造方法は、上記第1半導体層を形成する第1工程と、上記第2半導体層を形成する第2工程と、上記活性層を形成する第3工程と、上記転位不活性部を形成する第4工程と、を有する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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