高発電効率化合物半導体薄膜太陽電池及びその製造方法

開放特許情報番号
L2016001279
開放特許情報登録日
2016/8/3
最新更新日
2019/8/29

基本情報

出願番号 特願2018-514206
出願日 2017/3/29
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2017/187871
公開日 2017/11/2
発明の名称 高発電効率化合物半導体薄膜太陽電池及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 化合物薄膜太陽電池とその製造方法
目的 CIGS薄膜太陽電池において、光照射時に発生した電子、正孔が光電流に寄与することなく再結合して失活する起点となる欠陥(再結合中心)が熱の影響で発生することに対する解決。
効果 レーザースクライブ法によるセル分割において熱発生による変換効率低下がないので今後益々ニーズが期待されるメカニカルスクライブでは加工困難な軽量可撓性を有するポリマー基盤へ適用してフレキシブルな大規模化合物薄膜太陽電池を作製する事ができるようになる。
さらに、本構造では、付着力の弱い、背面電極層のモリブデン膜とCIGS光吸収層の間での剥離が起こりにくいこと、また、モリブデン膜が露出しない構造となるため、モリブデンの酸化による劣化を防ぐことができるという利点がある。
技術概要
基板と、基板上に形成された背面電極層を第1の溝形成により分割してなる下部電極と、複数の下部電極上に形成され、第1の溝と異なる位置で第2の溝形成によって複数に分割してなる、銅を成分に含有する化合物半導体からなる光吸収層にバッファ層と高抵抗バッファ層の順に積層した構造体と、複数に分割された光吸収層/バッファ層/高抵抗バッファ層積層構造体の上面と、光吸収層/バッファ層/高抵抗バッファ層積層構造体を分割する第2の溝に形成された透明導電膜層と、透明導電膜層が第2の溝に隣接した箇所で、バッファ層/高抵抗バッファ層/透明導電膜層を、光吸収層を残置する第3の溝形成により分割してなる上部電極により構成される化合物半導体薄膜太陽電池であって、
第3の溝の底面に、残置された光吸収層の化合物半導体が露出しており、
化合物半導体に関して第3の溝の底面から背面電極方向における化合物半導体に含まれる銅に由来するオージェ電子分光信号強度であって、十分に深い領域の信号強度の平均値I↓dが化合物半導体の表面近傍の浅い領域における最大信号強度Isより大きくないことを特徴とする化合物薄膜太陽電池。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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