| 出願番号 |
特願2012-261690 |
| 出願日 |
2012/11/29 |
| 出願人 |
国立大学法人東北大学 |
| 公開番号 |
特開2013-253010 |
| 公開日 |
2013/12/19 |
| 登録番号 |
特許第6052537号 |
| 特許権者 |
国立大学法人東北大学 |
| 発明の名称 |
グラフェン構造体及びそれを用いた半導体装置並びにそれらの製造方法 |
| 技術分野 |
化学・薬品、電気・電子、輸送 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
グラフェン構造体及びそれを用いた半導体装置、並びに該グラフェン構造体及び上記半導体装置の製造方法 |
| 目的 |
基板上の任意の領域に、任意の方向を向いたグラフェンナノリボンからなるグラフェン構造体と、グラフェン構造体を用いた半導体装置とこれらの製造方法を提供する。 |
| 効果 |
グラフェンナノリボンの基板上への成長位置と成長方向を完璧に制御可能となり、基板上へ直接グラフェンナノリボントランジスタを合成することが可能となる。これにより、グラフェンナノリボントランジスタの集積化が可能となる。 |
技術概要
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本発明のグラフェン構造体は、基板と、基板上に形成されるグラフェンナノリボンと、を備え、上記グラフェンナノリボンの幅は、半導体としての禁制体幅が生じる１００ｎｍ以下とされている。
本発明の半導体装置は、上記の何れかに記載のグラフェン構造体を用いている。
本発明の上記の何れかに記載のグラフェン構造体の製造方法は、基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に金属層を形成し、金属層からなるグラフェン構造体のパターンを形成し、基板の温度を所定の温度まで上げ、次にグラフェンナノリボンの原料ガスからなるプラズマ放電を発生し、基板の温度を所定の温度まで冷却して、グラフェン構造体を製造する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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