インジウム回収方法、インジウムナノ構造物の製造方法

開放特許情報番号
L2016001141
開放特許情報登録日
2016/6/17
最新更新日
2016/6/17

基本情報

出願番号 特願2014-157146
出願日 2014/7/31
出願人 国立大学法人 千葉大学
公開番号 特開2016-033253
公開日 2016/3/10
発明の名称 インジウム回収方法、インジウムナノ構造物の製造方法
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 インジウム回収方法、インジウムナノ構造物の製造方法
目的 より簡便かつ効率的にインジウムを回収する方法、更にはインジウムナノ構造物の製造方法の提供。
効果 より簡便かつ効率的にインジウムを回収する方法、更にはインジウムナノ構造物の製造方法を提供することができる。
技術概要
インジウム回収方法は、インジウムを含む電極層が形成された第一の電極を、第一の電極に対向する第二の電極とともにマンガンイオン、アンモニウムイオン及びアンモニアを含む電解液に浸漬し、第一の電極及び第二の電極に通電することにより第一の電極上に金属インジウムを析出させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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