光変調器とその製造方法

開放特許情報番号

L2016001091

開放特許情報登録日

2016/6/9

最新更新日

2017/11/17

基本情報

出願番号	特願2016-037910
出願日	2016/2/29
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	特開2017-156454
公開日	2017/9/7
発明の名称	光変調器とその製造方法
技術分野	情報・通信
機能	機械・部品の製造
適用製品	リブ導波路型光変調器とその製造方法
目的	リブ形成用のエッチング工程を省略でき、寸法精度が高いリブ形成が可能であり、かつｐｎ接合用の注入キャリア分布の最適化が可能なリブ導波路構造を提供し、これを用いたリブ導波路型光変調器の高性能化(高効率、低電力等)を図ること。
効果	例えば光通信用のトランシーバ等の各種光通信用デバイス、他の光回路、光集積回路の一部として広く利用することができる。
技術概要	基板上の第１のクラッドと、第１のクラッド上のコアであって、表面が平坦な半導体材料からなるスラブと、スラブ上のスラブとは異なる材料からなるリブとを含み、リブ下のスラブが横型または縦型のｐｎ接合を含む、コアと、 コアを覆う第２のクラッドと、を備える光変調器。 光変調器の製造方法であって、基板上の第１のクラッド層上に表面が平坦な所定領域を含む半導体層を準備するステップと、 所定領域の半導体層に横型または縦型のｐｎ接合を形成するステップと、 ｐｎ接合上方の半導体層上に半導体層とは異なる材料からなるリブを形成するステップと、 所定領域の半導体層及びリブを第２のクラッド層で覆うステップと リブの両側の第２のクラッド層に半導体層に至る２つの開口を形成し、一方の開口にｐｎ接合を形成するｐ型領域に接続する第１電極を形成し、他方の開口にｎ型領域に接続する第２電極を形成するステップと、を含む製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】