| 出願番号 |
特願2018-501107 |
| 出願日 |
2017/2/3 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2017/145706 |
| 公開日 |
2017/8/31 |
| 登録番号 |
特許第6741921号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
薄膜部材の湾曲加工方法 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
薄膜部材の微細曲げ加工 |
| 目的 |
等方性エッチング等エッチングの停止位置とＩＩＢ加工の曲がり始め位置が異なるような薄膜部材の湾曲加工方法を実現する。 |
| 効果 |
ＩＩＢ技術による薄膜部材の湾曲加工において、薄膜部材の上に直接もしくは位置制御層支持層形成用出発層を介して、薄膜部材の片持ち梁構造がイオンを照射することにより曲がり始める位置を決定する位置制御層を形成する工程を採用したため、従来のように横方向エッチング等によって定められた支持層の周縁面から片持ち梁構造を曲げ加工する場合に比し、位置制御性を飛躍的に向上できる。 |
技術概要
 |
基板上に支持層形成用出発層及び薄膜部材形成用出発層を積層する工程と、該薄膜部材形成用出発層をパタン化して薄膜部材を形成する工程と、該薄膜部材の上に直接もしくは位置制御層支持層形成用出発層を介して、該薄膜部材の片持ち梁構造がイオンを照射することにより曲がり始める位置を決定する位置制御層を形成する工程と、該薄膜部材の下の該支持層形成用出発層の一部もしくは、該支持層形成用出発層の一部及び位置制御層支持層形成用出発層の一部を、支持層の周縁面、もしくは支持層の周縁面及び位置制御層支持層の端面が、該位置制御層の先端の下方延長線上もしくはそれより内側にあるように除去して、該薄膜部材に先端自由端を有する片持ち梁構造を形成する工程と、該位置制御層をマスクとして該片持ち梁構造の一部にイオンを照射し、該片持ち梁構造の一部を湾曲させる工程と、を含む薄膜部材の湾曲加工方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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