11Cまたは10Cを含む気体化合物を生成する方法および装置

開放特許情報番号
L2016000987
開放特許情報登録日
2016/5/30
最新更新日
2016/5/30

基本情報

出願番号 特願2013-023128
出願日 2013/2/8
出願人 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
公開番号 特開2014-153196
公開日 2014/8/25
発明の名称 11Cまたは10Cを含む気体化合物を生成する方法および装置
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ↑11Cまたは↑10Cを含む気体化合物を生成する方法および装置
目的 高純度・高効率に↑11Cまたは↑10Cを含む気体化合物を生成する方法および装置を提供する。
効果 従来のキャリアガスを使用する↑11CH↓4ガス生成装置よりも短時間で高純度の↑11CH↓4ガスの生成が可能である。↑11Cは、半減期が約20分と短いので、生成時間が短いということも、↑11CH↓4ガスを高純度・高効率に得るという効果に寄与している。
技術概要
本発明の↑11Cまたは↑10Cを含む気体化合物を生成する方法は、真空チェンバー内にホウ素化合物の固体ターゲットを設置するステップと、真空チェンバー内を真空にするステップと、固体ターゲットにプロトンを照射するステップとを含む。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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