ビーム制御装置、粒子線照射装置、およびこれらの制御方法

開放特許情報番号
L2016000984
開放特許情報登録日
2016/5/30
最新更新日
2016/10/18

基本情報

出願番号 特願2010-105386
出願日 2010/4/30
出願人 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
公開番号 特開2011-233475
公開日 2011/11/17
登録番号 特許第5622225号
特許権者 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
発明の名称 ビーム制御装置、粒子線照射装置、およびこれらの制御方法
技術分野 電気・電子、食品・バイオ、化学・薬品
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 ビーム制御装置、粒子線照射装置、およびこれらの制御方法
目的 低コストで、線量の揺らぎが防止され設定量の線量が得られるビーム制御装置、粒子線照射装置、およびこれらの制御方法を提供する。
効果 本発明によれば、低コストで、線量の揺らぎが防止され設定量の線量が得られるビーム制御装置、粒子線照射装置、およびこれらの制御方法を実現できる。
技術概要
本発明のビーム制御装置は、シンクロトロン2を備え、シンクロトロン2からのベータトロン振動の共鳴を用いた粒子線ビームの取り出しを行うためのビーム制御装置1であって、シンクロトロン2内の粒子線ビームのセパラトリクス生成のための共鳴の次数に対応した多極電磁石6と、多極電磁石6の磁場強度を、生成したセパラトリクス面積を所望の大きさに保ちながら、高く制御することによって、前記粒子線ビームのビームスピルリップルを所定量以下に低減するビーム制御手段とを備えている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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