負性抵抗回路及び発振回路

開放特許情報番号
L2016000908
開放特許情報登録日
2016/5/23
最新更新日
2017/2/27

基本情報

出願番号 特願2015-099175
出願日 2015/5/14
出願人 学校法人日本大学
公開番号 特開2016-219876
公開日 2016/12/22
発明の名称 負性抵抗回路及び発振回路
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 負性抵抗回路及び発振回路
目的 負性抵抗回路の実装面積を低減する。
効果 負性抵抗回路の実装面積を低減することができる。
技術概要
本発明の一実施形態は、第1端子と、第2端子との少なくとも2つの端子を備え、前記第1端子から前記第2端子に電圧降下を生じさせる電圧降下素子と、第1のN型MOSFETと、第2のN型MOSFETとを備え、前記第1のN型MOSFETのドレインと、前記第2のN型MOSFETのゲートと、前記電圧降下素子の前記第2端子とが互いに接続され、前記第1のN型MOSFETのゲートと、前記第2のN型MOSFETのソースとが互いに接続され、前記第1のN型MOSFETのソースは接地され、前記電圧降下素子の前記第1端子と、前記第2のN型MOSFETのドレインとが、電源電圧と接続されることを特徴とする負性抵抗回路である。また、本発明の一実施形態の負性抵抗回路は、前記第1のN型MOSFETのゲート−ドレイン間の寄生容量と、前記第2のN型MOSFETのゲート−ソース間の寄生容量との和よりも、前記第1のN型MOSFETのゲート−ソース間の寄生容量と、前記第2のN型MOSFETのソース−ドレイン間の寄生容量との和の方が大きいことを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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