積層型超高真空作成装置

開放特許情報番号
L2016000892
開放特許情報登録日
2016/5/23
最新更新日
2023/1/13

基本情報

出願番号 特願2014-134301
出願日 2014/6/30
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2016-012501
公開日 2016/1/21
登録番号 特許第6327974号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 積層型超高真空作成装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 超高真空作成装置
目的 中心軸方向のサイズを小型化したイオンポンプを含む超高真空作成装置を提供する。
効果 従来のイオンポンプの軽量性,効率性,及び排気性などの基本性能を維持しつつ,中心軸方向のサイズをさらに小型化したイオンポンプを含む,超高真空作成装置を提供することができる。
例えば,試料からのガス放出が大きいイオンビーム加工装置や,各種プロセス装置,電離ガス発生装置,イオン源生成装置などに好適に適用できる。また,本発明の超高真空作成装置は,例えば,より安定した超高真空環境が求められる放射光施設や,イオントラップ,原子時計などにも好適に適用できる。
技術概要
超高真空作成装置1は,少なくとも一つのイオンポンプ100を備える。イオンポンプ100は,少なくとも一つの開口111,112を有するケーシング110と,ケーシング110の内部に配置され所定の中心軸Cに沿って中心開口120aが形成されているとともに複数の電極121が間隔を空けて連結することにより形成された盤状の電極群120と,ケーシング110の内部のうち電極群120を両側から挟む位置に配置され電極群120とは極性が異なる一対の盤状電極131,132と,一対の盤状電極131,132を両側から挟む位置に配置された一対の盤状磁石141,142と,を備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 国立研究開発法人情報通信研究機構(NICT)では、みなさまに
ご活用いただきたい成果(シーズ)を、以下に公開しています。
製品化や技術移転など、お気軽にご相談ください。

https://www2.nict.go.jp/oihq/seeds/

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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