半導体量子ドット及びその製造方法

開放特許情報番号
L2016000879
開放特許情報登録日
2016/5/23
最新更新日
2016/5/23

基本情報

出願番号 特願2014-096322
出願日 2014/5/7
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2015-216144
公開日 2015/12/3
発明の名称 半導体量子ドット及びその製造方法
技術分野 電気・電子、輸送
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体量子ドット及びその製造方法
目的 量子ドットの発光波長及び発光効率を適切に制御できる半導体量子ドットを提供する。
効果 本発明によれば,量子ドットの発光波長及び発光効率を適切に制御できる半導体量子ドットを提供できる。半導体量子ドットを制御できるため,望ましい発光波長や発光効率を有する半導体量子ドットを容易に作製できる。
例えば,ダイオード,半導体レーザ及び半導体光増幅器といった光学機器に用いることができる。
技術概要
基板(11)と,前記基板(11)上に設けられた埋め込み層(13)と,前記埋め込み層(13)に設けられた量子ドット(15)とを含む,半導体量子ドット(17)であって,
前記埋め込み層(13)は,第1結晶層(21)と第2結晶層(23)とを組み合わせた超格子を含み,前記超格子は前記基板(11)と格子整合がとられている,
半導体量子ドット。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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