銅三次元ナノ構造体の製造方法

開放特許情報番号
L2016000870
開放特許情報登録日
2016/5/19
最新更新日
2017/7/27

基本情報

出願番号 特願2016-046712
出願日 2016/3/10
出願人 国立大学法人信州大学
公開番号 特開2017-082319
公開日 2017/5/18
発明の名称 銅三次元ナノ構造体の製造方法
技術分野 金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 銅三次元ナノ構造体の製造方法
目的 銅三次元ナノ構造体を形成した基板に無電解スズめっきを施した際に、基板を溶解することなく、三次元ナノ構造体の形態を保持して確実にスズめっきを施すことができる銅三次元ナノ構造体の製造方法の提供。
効果 無電解スズめっきを利用して銅三次元ナノ構造体に確実にスズを担持させることができ、リチウムイオン電池の負極材料等として好適に利用できる銅三次元ナノ構造体を製造することができる。
技術概要
基板の表面に、無電解スズめっきでは溶解しない金属からなるバリア層を形成する工程と、前記バリア層を形成した基板に電解銅めっきを施し、前記バリア層の表面に、銅が薄板状にランダムに交錯して析出した銅三次元ナノ構造体を形成する工程と、を備え、前記基板に銅三次元ナノ構造体を形成した後、銅三次元ナノ構造体を形成した基板に無電解スズめっきを施すことにより、銅三次元ナノ構造体にスズを担持させた銅三次元ナノ構造体の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡についての可・不可はその時の状況によります。

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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