薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法

開放特許情報番号
L2016000814
開放特許情報登録日
2016/5/16
最新更新日
2016/5/16

基本情報

出願番号 特願2011-228713
出願日 2011/10/18
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2013-089753
公開日 2013/5/13
登録番号 特許第5856429号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 フレキシブルな樹脂基板に形成された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
目的 絶縁膜と薄膜トランジスタを形成した導電性ワイヤーを形成し、基板となる樹脂と一体化する工程を導入することにより、大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供すること。
効果 柔軟な基板を用いても配線不良の少ない薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子及びフレキシブル表示装置を提供することができる。
技術概要
フレキシブルな樹脂基板60に形成された薄膜トランジスタ200であって、周面の一部又は全部が導電性材料20により覆われたワイヤー10と、前記導電性材料を覆う絶縁膜30と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体40と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部50を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第1及び第2の電極70、80が接続されて形成されたことを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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