記憶回路
- 開放特許情報番号
- L2016000690
- 開放特許情報登録日
- 2016/4/29
- 最新更新日
- 2022/8/30
基本情報
出願番号 | 特願2013-540169 |
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出願日 | 2013/2/19 |
出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
公開番号 | |
公開日 | 2013/11/21 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
発明の名称 | 記憶回路 |
技術分野 | 情報・通信 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | 双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路 |
目的 | 消費電力を削減すること。 |
効果 | 消費電力を削減することができる。 |
技術概要![]() |
データを記憶する双安定回路と、前記双安定回路に記憶されたデータを不揮発的にストアし、不揮発的にストアされたデータを前記双安定回路にリストアする不揮発性素子と、前記双安定回路と前記不揮発性素子とのデータが一致する場合は、前記双安定回路のデータを前記不揮発性素子にストアせず、前記双安定回路と前記不揮発性素子とのデータが一致しない場合は、前記双安定回路のデータを前記不揮発性素子にストアする制御部と、を具備することを特徴とする記憶回路である。本発明によれば、消費電力を削減することができる。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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