記憶回路

基本情報

出願番号	特願2013-540169
出願日	2013/2/19
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	WO2013/172065
公開日	2013/11/21
登録番号	特許第5479656号
特許権者	国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称	記憶回路
技術分野	情報・通信
機能	材料・素材の製造
適用製品	双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路
目的	消費電力を削減すること。
効果	消費電力を削減することができる。
技術概要	データを記憶する双安定回路と、前記双安定回路に記憶されたデータを不揮発的にストアし、不揮発的にストアされたデータを前記双安定回路にリストアする不揮発性素子と、前記双安定回路と前記不揮発性素子とのデータが一致する場合は、前記双安定回路のデータを前記不揮発性素子にストアせず、前記双安定回路と前記不揮発性素子とのデータが一致しない場合は、前記双安定回路のデータを前記不揮発性素子にストアする制御部と、を具備することを特徴とする記憶回路である。本発明によれば、消費電力を削減することができる。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構