双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路

開放特許情報番号
L2016000689
開放特許情報登録日
2016/4/29
最新更新日
2016/4/29

基本情報

出願番号 特願2013-521330
出願日 2013/2/19
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2013/172066
公開日 2013/11/21
登録番号 特許第5312715号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 双安定回路と不揮発性素子とを備える記憶回路
目的 消費電力を削減すること。
効果 消費電力を削減することができる。
技術概要
データを記憶する双安定回路と、前記双安定回路に記憶されたデータを不揮発的にストアし、不揮発的にストアされたデータを前記双安定回路にリストアする不揮発性素子と、前記双安定回路からデータの読み出しまたは書き込みを行なわない期間が所定期間より長い場合、前記双安定回路に記憶されたデータを不揮発的にストアするとともに前記双安定回路の電源を遮断し、前記データの読み出しまたは書き込みを行なわない期間が前記所定期間より短い場合、前記双安定回路に記憶されたデータの不揮発的なストアを行なわず前記双安定回路の電源電圧を前記双安定回路からデータの読み出しまたは書き込む期間の電圧より低くする制御部と、を具備することを特徴とする記憶回路である。本発明によれば、消費電力を削減することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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