| 出願番号 |
特願2012-508141 |
| 出願日 |
2011/2/22 |
| 出願人 |
国立大学法人名古屋大学 |
| 公開番号 |
WO2011/122171 |
| 公開日 |
2011/10/6 |
| 登録番号 |
特許第5626694号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
電子顕微鏡 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
電子顕微鏡 |
| 目的 |
試料を透過した電子線の強度分布、すなわち試料を透過した電子線の像という解析しやすい観測結果を提供することができる技術を提案する。 |
| 効果 |
アップスピンによる像とダウンスピンによる像の差分を示す像が得られることから、偏極電子線と相互作用する物質構造や磁区構造の鮮明な像が得られる。
磁気記録材料の技術分野では、高密度化の進行とともに磁区サイズが小型化しており、現状では微細化された磁区構造を観察できる有効な技術が見当たらない。本明細書に開示されている透過型電子顕微鏡によると、ナノメータの分解能で磁区構造を観察することが可能となる。磁気記録材料の開発促進等に寄与することができる。 |
技術概要
 |
スピン方向が偏在しているとともに偏在しているスピン方向が経時的に反転する電子線を用いる透過型電子顕微鏡であり、レーザー光発生装置と、そのレーザー光発生装置が発生したレーザー光を円偏光レーザー光に偏光するとともにその円偏光の方向を経時的に反転可能な偏光装置と、その偏光装置が偏光した円偏光レーザー光に照射されるとスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する歪み超格子半導体層を備えている半導体光陰極と、その半導体光陰極が発生した偏極電子線を利用する透過型電子顕微鏡と、試料を透過した偏極電子線の到達面に配置されている電子線強度分布記録装置と、前記偏光装置に円偏光の方向を反転させる指示を送るとともに、それに同期して前記電子線強度分布記録装置にも指示を送る反転指示装置と、その反転指示装置が前記指示を送る前に前記電子線強度分布記録装置が記録した電子線強度分布と、その反転指示装置が前記指示を送った後に前記電子線強度分布記録装置が記録した電子線強度分布の差分を算出する差分装置を備えている電子顕微鏡。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)