スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路

開放特許情報番号
L2016000684
開放特許情報登録日
2016/4/29
最新更新日
2016/4/29

基本情報

出願番号 特願2009-530030
出願日 2008/7/31
出願人 国立大学法人東京工業大学
公開番号 WO2009/028298
公開日 2009/3/5
登録番号 特許第5170706号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 記憶回路、ラッチ回路およびフリップフロップ回路
目的 高速動作可能で、かつ電源を遮断した後電源を復帰しても電源遮断前に記憶されたデータを読み出し可能な記憶回路、ラッチ回路およびフリップフロップ回路を提供する。
効果 双安定回路へのデータの書き込みおよび読み出しを高速に行うことができる。また、電源が遮断されても強磁性トンネル接合素子に不揮発的にストアされたデータを双安定回路にリストアすることが可能である。よって、電源を遮断した後電源を復帰しても電源遮断前に記憶されたデータを読み出し可能となる。
技術概要
データを記憶する双安定回路と、前記双安定回路に記憶されたデータを強磁性電極フリー層の磁化方向に応じ不揮発的にストアする強磁性トンネル接合素子と、を具備し、前記強磁性トンネル接合素子に不揮発的に記憶されたデータを前記双安定回路にリストア可能であり、
前記双安定回路は、第1インバータ回路と第2インバータ回路とがリング状に接続されており、前記強磁性トンネル接合素子は前記第1インバータ回路と前記第2インバータ回路とが接続されるノードに接続され、前記強磁性トンネル接合素子は、前記ノードと制御線との間に接続され、前記ノードと前記制御線との間に電流が流れることにより高抵抗となり、前記電流と反対方向に電流が流れることにより低抵抗となることを特徴とする記憶回路。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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