| 出願番号 |
特願2009-078082 |
| 出願日 |
2009/3/27 |
| 出願人 |
国立大学法人東京工業大学 |
| 公開番号 |
特開2010-232959 |
| 公開日 |
2010/10/14 |
| 登録番号 |
特許第5234547号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
電子回路 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
電子回路 |
| 目的 |
双安定回路と低抵抗素子とが互いに影響することを抑制することが可能な電子回路を提供する。電流駆動能力を不揮発的に設定可能な電子回路を提供する。 |
| 効果 |
高速動作可能で、かつデータを不揮発的にストア可能な電子回路を提供することができる。さらに、電界効果トランジスタにより、双安定回路と抵抗変化素子とが互いに影響することを抑制することができる。さらに、電界効果トランジスタにより、ストアおよびリセットの際の抵抗変化素子を流れる電流を制御することができる。 |
技術概要
 |
電界効果トランジスタと、一端が前記電界効果トランジスタのソースに接続され、抵抗値を不揮発的に設定可能なノンポーラ型の抵抗変化素子と、データを記憶する双安定回路と、を具備し、前記電界効果トランジスタのドレインは前記双安定回路内の互いに相補的なノードのうち少なくとも一方と接続し、前記抵抗変化素子の他端は制御線に接続され、
前記抵抗変化素子は、前記抵抗値に応じ前記データを不揮発的にストアし、ストアされたデータを前記双安定回路にリストアし、前記電界効果トランジスタは、前記抵抗変化素子を流れる電流が、前記双安定回路にデータをストアする際に前記抵抗変化素子にストアされているデータを消去する際より小さくなるように、前記抵抗変化素子を流れる電流を制御することを特徴とする電子回路。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)