強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2016000681
開放特許情報登録日
2016/4/29
最新更新日
2016/4/29

基本情報

出願番号 特願2007-078925
出願日 2007/3/26
出願人 国立大学法人東京工業大学
公開番号 特開2008-243922
公開日 2008/10/9
登録番号 特許第4742276号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法
目的 ホイスラー合金である強磁性体層を半導体層に隣接して形成することが可能な強磁性体の形成方法及びトランジスタの製造方法を提供する。
効果 磁性元素と半導体層との反応を抑制する反応抑制層を形成し、反応抑制層上に磁性元素層を形成し、半導体層と磁性元素層とを反応させる。これにより、半導体の供給量が制限され、磁性元素の組成比が大きなホイスラー合金を形成することができる。よって、スピン分極率の大きな強磁性体を形成することができる。
技術概要
反応抑制層上に形成された半導体層上に磁性元素層を形成する工程と、
前記半導体層と前記磁性元素層とを熱処理し反応させることにより、前記反応抑制層上にホイスラー合金である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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