磁歪膜、磁歪素子、トルクセンサ、力センサ、圧力センサおよびその製造方法

開放特許情報番号
L2016000673
開放特許情報登録日
2016/4/29
最新更新日
2016/4/29

基本情報

出願番号 特願2010-537063
出願日 2010/7/30
出願人 トピー工業株式会社、国立大学法人信州大学、国立大学法人東北大学
公開番号 WO2011/016399
公開日 2011/2/10
登録番号 特許第4707771号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 磁歪膜、磁歪素子、トルクセンサ、力センサ、圧力センサおよびその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁性膜、磁歪素子、トルクセンサ、力センサ、圧力センサおよびこれらの製造方法
目的 ゼロ磁界付近で優れた磁歪特性を発揮できる磁歪膜、磁歪素子、および、これらを用いた力センサ、トルクセンサ、圧力センサ、ならびにこれらの製造方法を提供する。
効果 磁界印加の際、直線特性の領域に達するまでの磁界−磁歪曲線の立ち上がりが早く、従来よりも微小な磁界であっても良好な磁歪特性を示すことができる。
従来の磁性材料を用いたセンサよりも微小な磁歪を検知することができる。
金属ガラスを溶融させないで溶射被膜を形成するため、酸化物が被膜中に含まれにくくなり、被膜中の酸素含有量が少なく、酸化物を還元するための高度な熱処理を必要としない。
技術概要
ゼロ磁界付近で優れた磁歪特性を発揮できる磁歪膜およびその製造方法を提供する。磁歪膜は、被検体上に溶射形成され、ガラス遷移温度より低く且つ、キュリー点温度以上で熱処理されていることを特徴とした金属ガラスの膜で構成され、−15kA/m以上、+15kA/m以下の磁界範囲のうちの少なくとも一部の範囲内で、磁界と磁歪とが直線特性を示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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