シリコンクラスター超格子並びに該シリコンクラスター超格子を備える半導体素子、電子デバイス、装置及び真空隔離窓

開放特許情報番号
L2016000638
開放特許情報登録日
2016/4/25
最新更新日
2019/8/28

基本情報

出願番号 特願2017-564275
出願日 2017/1/24
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2017/130974
公開日 2017/8/3
発明の名称 シリコンクラスター超格子
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコンクラスター超格子を備える半導体素子、電子デバイス、装置及び真空隔離窓素子
目的 新規なシリコンクラスター超格子を提供する。
電子状態密度が高く、周期性の高い安定した結晶構造をもつ表面電子状態を備えるシリコンクスター超格子を提供する。
シリコンクラスター超格子を備える半導体素子や電子デバイスや装置を提供する。
シリコンクラスター超格子を備える真空窓を提供する。
効果 シリコンクラスター超格子において、電子状態密度が高く、周期性の高い安定した結晶構造をもつ表面電子状態を実現できた。また、本発明のSi↓Nクラスター超格子により、初めて電子状態密度の高い、超格子材料の物性を規定する3次元表面構造を実現できた。
技術概要
ダイヤモンド結晶構造を有するシリコンクラスターが、シリコン結晶構造の格子定数のほぼ4倍の格子定数をもつ体心立方格子構造の形状に配置して立体的な3次元格子をなすことを特徴とするシリコンクラスター超格子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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