表面ポテンシャルのシミュレーション装置及び表面ポテンシャルのシミュレーションプログラム

開放特許情報番号
L2016000606
開放特許情報登録日
2016/4/25
最新更新日
2016/4/25

基本情報

出願番号 特願2011-220586
出願日 2011/10/5
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2013-080847
公開日 2013/5/2
登録番号 特許第5839922号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 表面ポテンシャルのシミュレーション装置及び表面ポテンシャルのシミュレーションプログラム
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア、材料・素材の製造
適用製品 半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型の電界効果型薄膜トランジスタの表面ポテンシャルを計算する装置及びプログラム
目的 半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型の電界効果型の薄膜トランジスタに適用可能な表面ポテンシャルのシミュレーション装置及びシミュレーションプログラムを提供する。
効果 半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型の電界効果型の薄膜トランジスタについて、半導体膜の表面ポテンシャルを高速かつ高精度に計算することができ、また、半導体膜の表面ポテンシャルのゲート電圧依存性を高速かつ高精度に計算することができる。
技術概要
半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型の薄膜トランジスタであって、前記半導体膜と絶縁膜とゲート電極とをこの順で積層した構造を有する電界効果型の薄膜トランジスタについて、前記半導体膜において前記絶縁膜と接する面を表面とし、反対面を裏面としたときに、前記半導体膜の表面ポテンシャルを計算する表面ポテンシャルのシミュレーション装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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