| 出願番号 |
特願2015-193699 |
| 出願日 |
2015/9/30 |
| 出願人 |
国立大学法人信州大学 |
| 公開番号 |
特開2017-065976 |
| 公開日 |
2017/4/6 |
| 登録番号 |
特許第6598111号 |
| 特許権者 |
国立大学法人信州大学 |
| 発明の名称 |
ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| 目的 |
SiC単結晶を育成する工程中において、溶液中のSiとCの組成比が変化することを抑え、高品質のSiC単結晶が得られる製造方法を提供する。 |
| 効果 |
本発明に係るSiC単結晶の製造方法によれば、結晶育成工程において、溶液中のSiとCの組成比を変えずにSiC単結晶を製造することができる。溶液中のSiとCの組成比が変化しないことにより、高品質のSiC単結晶が製造できる。 |
技術概要
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SiCからなる材料を使用し、前記材料と溶剤金属とを用いて、溶液法によりSiCの単結晶を製造する方法であって、前記材料の上に前記溶剤金属を配置して加熱し、前記材料の上部に前記溶融金属の融液を位置させ、前記溶剤金属の融液にSiCの種結晶を接触させ、前記溶剤金属の融液中に前記材料からSiとCを溶出させることにより、前記種結晶にSiCを析出させてSiCの単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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