SiC単結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2016000421
開放特許情報登録日
2016/3/28
最新更新日
2017/6/27

基本情報

出願番号 特願2015-193699
出願日 2015/9/30
出願人 国立大学法人信州大学
公開番号 特開2017-065976
公開日 2017/4/6
発明の名称 SiC単結晶の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 SiC単結晶の製造方法
目的 SiC単結晶を育成する工程中において、溶液中のSiとCの組成比が変化することを抑え、高品質のSiC単結晶が得られる製造方法を提供する。
効果 本発明に係るSiC単結晶の製造方法によれば、結晶育成工程において、溶液中のSiとCの組成比を変えずにSiC単結晶を製造することができる。溶液中のSiとCの組成比が変化しないことにより、高品質のSiC単結晶が製造できる。
技術概要
SiCからなる材料を使用し、前記材料と溶剤金属とを用いて、溶液法によりSiCの単結晶を製造する方法であって、前記材料の上に前記溶剤金属を配置して加熱し、前記材料の上部に前記溶融金属の融液を位置させ、前記溶剤金属の融液にSiCの種結晶を接触させ、前記溶剤金属の融液中に前記材料からSiとCを溶出させることにより、前記種結晶にSiCを析出させてSiCの単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡についての可・不可はその時の状況によります。

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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