電磁波遮蔽カーボンナノチューブ高分子複合材料、電磁波遮蔽材料、及び電磁波遮蔽カーボンナノチューブ高分子複合材料の製造方法

開放特許情報番号
L2016000379
開放特許情報登録日
2016/3/17
最新更新日
2019/12/25

基本情報

出願番号 特願2017-558057
出願日 2016/12/14
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2017/110615
公開日 2017/6/29
登録番号 特許第6613319号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 電磁波遮蔽カーボンナノチューブ高分子複合材料、電磁波遮蔽材料、及び電磁波遮蔽カーボンナノチューブ高分子複合材料の製造方法
技術分野 電気・電子、有機材料、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 電磁波遮蔽カーボンナノチューブ高分子複合材料
目的 μmスケールまで薄膜化しても電磁波遮蔽性に優れる電磁波遮蔽カーボンナノチューブ高分子複合材料、電磁波遮蔽材料、及び電磁波遮蔽カーボンナノチューブ高分子複合材料の製造方法を提供する。
効果 引き裂き強度や耐薬品性に優れ、数μmで電磁波遮蔽能を発現する電磁波遮蔽CNT高分子複合材料、それを用いたシール材料及びシーリング材料、及び電磁波遮蔽CNT高分子複合材料の製造方法を提供することができる。
技術概要
電磁波遮蔽性に優れる電磁波遮蔽CNT高分子複合材料を提供する。電磁波遮蔽CNT高分子複合材料は、膜厚0.1 μm以上10↑5 μm以下を備え、CNTは直径が20 nm以下、層数10層以下を備え、CNTはエラストマーもしくは高分子の総重量に対して0.1重量部以上80重量部以下含まれ、CNTはエラストマーもしくは高分子中で連続なネットワークを構成し、400℃以上の温度において窒素環境下で6時間保持したとき、エラストマーもしくは高分子が熱分解し、残留したCNTが構造体を成し、初期の体積をV↓0、残留したCNTの構造体の体積をVaとすると、Va/V↓0が0.5以上であり、残留したCNTの構造体の空孔分布は、0.5 μmから10 μmの範囲においてdV/dlog(d)の値が0.6以下であり、10 nm以上10 μm以下の間に少なくとも1つ以上のピークを備え、周波数が100 Hz以上1 THz以下の範囲の任意の波長の電磁波に対する遮蔽能が0.1×10↑(-1)db/μm以上である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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