デバイス・シミュレータ、デバイス・シミュレーションの方法、および、デバイス・シミュレーション・プログラム

開放特許情報番号
L2016000357
開放特許情報登録日
2016/3/14
最新更新日
2016/3/14

基本情報

出願番号 特願2014-148055
出願日 2014/7/18
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 特開2016-024604
公開日 2016/2/8
発明の名称 デバイス・シミュレータ、デバイス・シミュレーションの方法、および、デバイス・シミュレーション・プログラム
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 デバイス・シミュレータ
目的 従来に比べて少ない計算量で電子−フォノン間相互作用を考慮しつつデバイスの電気的特性を原子論的に算出するデバイス・シミュレータを提供する。
効果 本発明は、少ない計算量で電子−フォノン間相互作用を考慮してデバイスの電気的特性を原子論的に算出することができる。そのため、原子論的なデバイス・シミュレーションにおいて従来に比べ計算コストが低減されたデバイス・シミュレータが提供される。
技術概要
電子−フォノン間相互作用に影響されるデバイスの電気的特性をシミュレートするデバイス・シミュレータであって、
シミュレートされるデバイスの構造に関するデータを格納する記憶部と、
前記記憶部から前記デバイスの構造に関するデータを読み出して、前記デバイスの構造に応じた電子のバンド構造とフォノンの分散関係とを算出するモデル生成部と、
前記モデル生成部が算出した前記電子のバンド構造および前記フォノンの分散関係に基づいて、波数依存性を有さない仮想的なフォノンである仮想フォノンと、前記仮想フォノンの散乱強度を決定する仮想フォノンモード決定部と、
前記モデル生成部が算出した前記電子のバンド構造と前記仮想フォノンモード決定部が決定した前記仮想フォノンおよび前記仮想フォノンの散乱強度とに基づいて、前記デバイスの電気的特性をシミュレートするシミュレータ部と、を有するデバイス・シミュレータ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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