スピン偏極電子発生素子

開放特許情報番号
L2016000354
開放特許情報登録日
2016/3/14
最新更新日
2016/3/14

基本情報

出願番号 特願2006-060673
出願日 2006/3/7
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2008-198360
公開日 2008/8/28
登録番号 特許第4769941号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 スピン偏極電子発生素子
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 スピン偏極電子発生素子の改良
目的 高い量子効率QEが得られる偏極電子線発生素子を提供する。
効果 本発明のスピン偏極電子発生素子によれば、高い量子効率が得られる。
技術概要
半導体基板と、該半導体基板の一面に結晶成長させられ該半導体基板とは異なる格子定数を有するバッファ層と、格子定数が互いに相違し且つ互いに隣接する第1半導体層および第2半導体層が交互に該バッファ層の上に複数対成長させられることにより構成されて価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層とを備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層からスピン方向が偏在しているスピン偏極電子を発生するスピン偏極電子発生素子であって、
前記バッファ層の格子定数は、前記第1半導体層の格子定数と前記第2半導体層の格子定数との間の値を有していることを特徴とするスピン偏極電子発生素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT