出願番号 |
特願2017-548816 |
出願日 |
2016/11/2 |
出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
公開番号 |
WO2017/078082 |
公開日 |
2017/5/11 |
登録番号 |
特許第6590420号 |
特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 |
窒素化合物の製造方法及び製造装置 |
技術分野 |
金属材料、電気・電子 |
機能 |
機械・部品の製造 |
適用製品 |
マイクロ波プラズマ源を用いた窒素化合物の製造方法及び製造装置 |
目的 |
窒素系ガス(窒素ガスやアンモニアガス等)をプラズマ状態とし、高密度の窒素系活性種(以下「窒素系ラジカル」ともいう。)を基材に照射する、窒素化合物を製造する方法及び装置を提供する。
従来より低温で形成可能な窒素化合物の製造方法及び製造装置を提供する。
より高圧プロセスで消費電力の少ない、窒素化合物の製造方法及び製造装置を提供する。 |
効果 |
ライン状に高密度の窒素系活性種を基材に供給することが可能となり、プラズマ源を複数並列に配置だけで、大面積化に対応をすることが可能となる。また、基材を前後左右又は回転等により適宜移動させることが容易にでき、これにより、基材表面の窒化一様性が可能となる。 |
技術概要
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マイクロ波プラズマを生成して窒素化合物を製造する窒素化合物の製造方法であって、
ノズルから窒素系ガスを含む原料ガスを基材の表面に流量を制御して吹き出しながら、前記原料ガスにマイクロ波を印加することにより、前記原料ガスから生成される窒素系活性種を含むプラズマを前記基材の表面に向かって照射する工程において、圧力を前記プラズマにおけるイオンの平均自由行程がデバイ長より小さくなる圧力より高く設定することを特徴とする窒素化合物の製造方法。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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